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- 制造商:STMicroelectronics
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-220-3
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:120 V
- Id-连续漏极电流:80 A
- Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms
- Vgs - 栅极-源极电压:20 V
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:300 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商标名:STripFET
- 高度:9.15 mm
- 长度:10.4 mm
- 系列:STP80NF12
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 类型:MOSFET
- 宽度:4.6 mm
- 商标:STMicroelectronics
- 正向跨导 - 最小值:80 S
- 下降时间:115 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:145 ns
- 工厂包装数量:1000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:134 ns
- 典型接通延迟时间:40 ns
- 单位重量:1.438 g