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- 制造商:STMicroelectronics
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:TO-263-3
- 通道数量:1 Channel
- Vds-漏源极击穿电压:600 V
- Id-连续漏极电流:18 A
- Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
- Vgs - 栅极-源极电压:25 V
- Qg-栅极电荷:29 nC
- Pd-功率耗散:150 W
- 配置:Single
- 商标名:FDmesh
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 系列:STB24N60DM2
- 商标:STMicroelectronics
- 下降时间:15 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:8.7 ns
- 工厂包装数量:1000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:60 ns
- 典型接通延迟时间:15 ns
- 单位重量:4 g