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- 制造商:STMicroelectronics
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:D2PAK-3
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:650 V
- Id-连续漏极电流:24 A
- Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
- Vgs - 栅极-源极电压:10 V
- Qg-栅极电荷:41.5 nC
- 最大工作温度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:190 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商标名:MDmesh
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 系列:STB33N65M2
- 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
- 商标:STMicroelectronics
- 下降时间:9 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:11.5 ns
- 工厂包装数量:1000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:72.5 ns
- 典型接通延迟时间:13.5 ns
- 单位重量:4 g